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2A、600V N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管
描述
SVD2N60 N溝道增強(qiáng)型高壓功率MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管采用士蘭微電子的S-RinTM平面高壓VDMOS 工藝技術(shù)制造。先進(jìn)的工藝及條狀的原胞設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)使得該產(chǎn)品具有較低的導(dǎo)通電阻、優(yōu)越的開(kāi)關(guān)性能及很高的雪崩擊穿耐量。
該產(chǎn)品可廣泛應(yīng)用于AC-DC開(kāi)關(guān)電源，DC-DC電源轉(zhuǎn)換器，高壓H橋PWM馬達(dá)驅(qū)動(dòng)。
特點(diǎn)
∗ 2A，600V，RDS(on)(典型值)=4.0Ω@VGS=10V
∗ 低柵極電荷量
∗ 低反向傳輸電容
∗ 開(kāi)關(guān)速度快
∗ 提升了dv/dt 能力

昆山東森微電子有限公司專(zhuān)業(yè)致力于LED燈及其他電源類(lèi)電子元件如:驅(qū)動(dòng)芯片\光耦\MOS管\可控硅\橋堆\二極管\三極管,歡迎新老客戶(hù)致電洽談!